二硫化鉬 CVD薄膜

六碳科技目前為全世界唯一可批量化制造高質(zhì)量單層MoS2薄膜的廠商。

目前最大尺寸4英寸圓片，更大尺寸（8，12英寸）即將面市。

基本性質(zhì):

無(wú)摻雜二硫化鉬是層狀N型半導(dǎo)體，屬于過(guò)渡金屬二硫族化合物，塊狀能帶間隙為1.23eV （間接帶隙），單層MoS2帶隙~1.85eV（直接帶隙）。

制造方法：

化學(xué)氣相沉積法， Chemical Vapor Deposition （CVD）

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

六碳科技的MoS2薄膜分為多種：
1） 單層離散分布的三角狀單晶晶粒，三角邊長(zhǎng)一般是幾十至一百微米。
2） 由三角晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜。
3） 多層MoS2 連續(xù)薄膜。
4） 基底：MoS2可選基底較多，其中最常用的硅片基底、帶氧化層硅片基底和藍(lán)寶石基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在藍(lán)寶石上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。

應(yīng)用領(lǐng)域：

光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。

包裝及規(guī)格

10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圓片，4英寸圓片 或客戶指定的定制尺寸。
凈化抽真空包裝， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。

典型客戶包括：

MIT、加州理工、斯坦福大學(xué)；
牛津大學(xué)、曼徹斯特大學(xué)；
首爾大學(xué)、韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）、成均館大學(xué)；
東京工業(yè)大學(xué)、村田制作所
清華大學(xué)、北京大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所
等世界一流研究機(jī)構(gòu)。

單層MoS2孤立晶粒

單層MoS2連續(xù)膜

AFM data of MoS2

Raman shift of MoS2

二氧化硅/硅基底二硫化鉬薄膜

石英基底二硫化鉬薄膜

藍(lán)寶石基底二硫化鉬薄膜

參考文獻(xiàn)：

1）Gao, Min-Rui, Jin-Xia Liang, Ya-Rong Zheng, Yun-Fei Xu, Jun Jiang, Qiang Gao, Jun Li, and Shu-Hong Yu. "An efficient molybdenum disulfide/cobalt diselenide hybrid catalyst for electrochemical hydrogen generation." Nature communications 6 (2015): 5982.
https://www.nature.com/articles/ncomms6982
2） Radisavljevic, Branimir, Aleksandra Radenovic, Jacopo Brivio, I. V. Giacometti, and A. Kis. "Single-layer MoS 2 transistors."?Nature nanotechnology?6, no. 3 (2011): 147.
https://www.nature.com/articles/nnano.2010.279
3） Wang, Qing Hua, Kourosh Kalantar-Zadeh, Andras Kis, Jonathan N. Coleman, and Michael S. Strano. "Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides." Nature nanotechnology 7, no. 11 (2012): 699.
https://www.nature.com/articles/nnano.2012.193
4）顧品超, 張楷亮, 馮玉林, 王芳, 苗銀萍, 韓葉梅, and 張韓霞. "層狀二硫化鉬研究進(jìn)展."?物理學(xué)報(bào)?65, no. 1 (2016): 18102-018102.
http://wulixb.iphy.ac.cn/fileup/PDF/2016-1-018102.pdf