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機(jī)械剝離單層MoS2

機(jī)械剝離單層MoS2， 剝離到帶標(biāo)記氧化層硅片上，大于30um。有償提供拉曼、PL， 以及拉曼PL Mapping測試原始數(shù)據(jù)。

機(jī)械剝離單層MoSe2

機(jī)械剝離單層MoSe2 少層MoSe2，尺寸大于10um?；诪閹?biāo)記氧化層硅片。有償提供測試原始數(shù)據(jù)。

機(jī)械剝離單層WS2

單層WS2，剝離到帶數(shù)字標(biāo)記的氧化層硅片上，方便顯微鏡下尋找，也可以指定其他基底進(jìn)行剝離或者轉(zhuǎn)移。單層大于20um。有償提供測試原始數(shù)據(jù)。

機(jī)械剝離單層WSe2

機(jī)械剝離單層WSe2, 少層WSe2，尺寸大于20um?；诪閹?biāo)記氧化層硅片。有償提供測試原始數(shù)據(jù)。

機(jī)械剝離單層石墨烯

機(jī)械剝離單層graphene，大于30um尺寸。有償提供測試原始數(shù)據(jù)。