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更多規(guī)格，請查看官方商城： 定制硅片耗材

硅片鍍膜加工

鍍膜金屬種類： Ti，Cr，Cu，Au，Ag，Pt，Hf，Zr，Ta，W，Sn，Mn，F(xiàn)e，V，Al，
厚度： 1~200nm
基底規(guī)格： 硅片規(guī)格：4英寸，單面拋光，雙面氧化或者無氧化層純硅片 ,(100)晶向， N或者P型，電阻率小于0.1 ohm*cm-1
制作流程： 清洗->電子束蒸發(fā)金屬層或者磁控濺射鍍膜->檢驗(yàn)->包裝。
包裝規(guī)格： 每片4英寸獨(dú)立包裝。
特殊定制： 發(fā)送需求示意圖和需求數(shù)量至sales@6carbon.com，評估成本和難度后進(jìn)行報價。

機(jī)械剝離用鍍金硅片

鍍膜材料： 2nmTi+2nmAu
硅片規(guī)格： 4英寸，單面拋光，雙面氧化 , (100)晶向， 高導(dǎo)電N或者P型可選，電阻率小于0.1 ohm*cm-1。
制作流程： 清洗>電子束蒸發(fā) 2nmTi+1nmAu金屬層->檢驗(yàn)->包裝。
包裝規(guī)格： 每片4英寸獨(dú)立包裝。
特殊定制： 發(fā)送需求示意圖和需求數(shù)量至sales@6carbon.com，評估成本和難度后進(jìn)行報價。

預(yù)沉淀不等距電極硅片

電極規(guī)格： 以10*10mm為基本單元，每個單元里標(biāo)記100個數(shù)字，數(shù)字間隔900um，數(shù)字尺寸50um*50um，線寬10um。
電極材料： 5nm Cr+50nm Au金屬。
硅片規(guī)格： 4英寸，單面拋光，雙面氧化 , (100)晶向， 高導(dǎo)電N或者P型可選，電阻率小于0.1 ohm*cm-1。
制作流程： 涂膠->曝光->顯影->電子束蒸發(fā)金屬層->去膠清洗->檢驗(yàn)->包裝。
包裝規(guī)格： 每片4英寸獨(dú)立包裝。
特殊定制： 發(fā)送需求示意圖和需求數(shù)量至sales@6carbon.com，評估成本和難度后進(jìn)行報價。

數(shù)字標(biāo)記硅片

數(shù)字規(guī)格： 以10*10mm為基本單元，每個單元里標(biāo)記100個數(shù)字，數(shù)字間隔900um，數(shù)字尺寸50um*50um，線寬10um。
標(biāo)記材料： 30nm Cr金屬。
硅片規(guī)格： 4英寸，單面拋光，雙面氧化 , (100)晶向， 高導(dǎo)電N或者P型可選，電阻率小于0.1 ohm*cm-1。
制作流程： 涂膠->曝光->顯影->電子束蒸發(fā)金屬層->去膠清洗->檢驗(yàn)->包裝。
包裝規(guī)格： 每片4英寸獨(dú)立包裝。
特殊定制： 發(fā)送需求示意圖和需求數(shù)量至sales@6carbon.com，評估成本和難度后進(jìn)行報價。