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器件研發(fā)實驗室
深圳六碳科技器件實驗室建設(shè)有完整的微納器件試驗線，主要設(shè)備包括：
激光直寫曝光機。
曝光波長：405nm
直寫面積：最大100*100mm
曝光精度：最小2um
適用于任意圖形書寫，直接圖形書寫圖案時不需要掩模版。也可以用于制作接觸式光刻機用的掩模版。
紫外接觸式曝光機。
曝光波長365nm
曝光面積，4英寸
曝光精度1um
RIE 反應(yīng)離子刻蝕機。
工藝氣體：CF4，SF6，O2，Ar
用于二維半導(dǎo)體薄膜，石墨烯等薄膜材料的刻蝕。也可用于硅，氧化硅，玻璃等半導(dǎo)體材料的刻蝕。
刻蝕深度一般不大于2um。
等離子體清洗機
工藝氣體：Ar， O2
用于石墨烯刻蝕，等離子體去膠等工藝。
薄膜沉積：
電子束蒸發(fā)鍍膜機1號機（金屬鍍膜專用）。
專用于金，鈦，鉻，鉍，銻，銀，鉑，鈀等常用金屬電極材料的沉積。
電子束蒸發(fā)鍍膜機2號機（介質(zhì)膜鍍膜專用）
專用于氧化鋁Al2O3，氧化硅，氧化鈦，氧化釩，氮化鈦，氮化硅等介質(zhì)膜材料的沉積。
3靶 磁控濺射鍍膜機 （金屬鍍膜專用）。
專用于金屬直流磁控濺射鍍膜和反映濺射鍍膜。
2靶 磁控濺射鍍膜機 （介質(zhì)膜鍍膜用）
用于金屬直流磁控濺射鍍膜和射頻濺射鍍膜（不導(dǎo)電材料）。
輔助設(shè)備：
金線 綁定bonding設(shè)備
二維材料定位轉(zhuǎn)移設(shè)備（異質(zhì)結(jié)搭建，定位轉(zhuǎn)移）
用于二維材料定位轉(zhuǎn)移和異質(zhì)結(jié)搭建。
其他輔助設(shè)備例如：多種規(guī)格勻膠機，事發(fā)刻蝕臺，純水機等微加工配套設(shè)備。
每一個器件工藝步驟器件實驗室都有兩套基于不同方式實現(xiàn)的設(shè)備，互為備份，可保證研發(fā)過程不會因為設(shè)備宕機而中斷，加快器件demo的時間進程。
此外，基于研發(fā)需求，六碳科技在不斷自研或者采購多種用于特殊器件工藝的研發(fā)型設(shè)備，推動基于前沿材料的器件研發(fā)盡快走向?qū)嵱没?br/>
